NAND Flash合約價因企業SSD需求增強持續上漲，多數細分市場庫存去化明顯；但現貨市買氣疲軟，消費市場觀望，美中政策變數高。
LPDDR4X受原廠減產與EOL計劃影響，供應急縮，帶動價格飆漲。Smartphone品牌在供應及價格雙重壓力下加速轉向LPDDR5X，惟中低階機型因處理器限制轉換不易。
DRAM市場3Q25合約價展望上漲，DDR4供給緊張推動新世代轉進。Micron財報亮眼，高毛利產品帶動績效。HBM成長快速，DDR4逐步退場，公司將聚焦高附加價值產品，行業供給偏緊。
關稅政策變化、廠商減產與補貼弱化影響NAND Flash供需改善，合約價普漲、現貨市疲。Micron聚焦高附加價值產品，出貨量、市占提升，庫存天數下降，展望維持審慎樂觀，有利長期穩健經營。
2025年全球AI晶片以高階搭載HBM記憶體為主，NVIDIA新平台Blackwell推動高階GPU成長，因地緣政治及出口限制影響供應，市場趨於保守，AI Server需求持續成長，HBM記憶體技術快速迭代，預期2026年朝HBM4世代轉進，整體...
2025年第二季PC DRAM合約價持續上漲，供需變化使DDR4價格漲幅高於DDR5，原廠減供及市場提前備貨推升價格，3Q25 DDR4甚至超越DDR5。Nanya供應增加也帶動整體市價上揚。
DDR4停產消息引發搶貨潮，現貨及合約價大幅上漲，尤其DDR4 8/16Gb漲勢最劇。供需失衡持續，後續合約價仍看漲，消費性DRAM也供不應求。DDR3因供給仍高，價格較穩定。
3Q25記憶體市場因供給緊縮與旺季效應，舊規格如DDR4價格大漲，新品漲勢有限。NAND Flash上漲收斂，僅企業級產品動能強。供應商策略產能調整及各類需求疊加，推升整體記憶體價格高於預期。
DDR4因EOL效應推升價格與備貨需求，市場聚焦特定業者；DDR5受CSP回補訂單帶動小幅增量，整體價格持平。CSP平台推動下，AMD於Server市場滲透提升，高頻DRAM及新製程同步受惠，原廠獲益空間增加。
NAND Flash Wafer供應因原廠利潤導向產能分配趨緊，雖6月需求疲弱，但價格在供給限制下仍小幅上調，7月展望仍受市場動能及原廠調控影響，上漲空間有限。
受AI邊緣裝置與工控需求強勁影響，6月SLC、MLC NAND Flash合約價格持續上漲。SLC因高耐用特性，於智慧能源等新興應用需求強勁，維持價格支撐。MLC則受供應收緊影響，上漲顯著，預期價格後續續揚。
地緣政治影響及舊品停產促使DRAM價格走強，DDR4需求熱度高於DDR5。Micron將於年底停產舊世代DRAM，市占與議價力提升。新技術與AI應用帶動HBM成長，供給持續緊張。
合約市場持續協商，伴隨wafer價格上揚而推動client SSD合約調整；現貨市場因需求未達預期與交易低迷，呈現觀望態勢。Micron在供應趨緊下，利用PC OEM提前訂單、企業及車用市場的強勁動能，展現NAND Flash業務未來價...
隨著AI晶片熱潮推動CoWoS封裝產能迅速擴大，ABF載板需求攀升，而BT基板與之共用低熱膨脹玻璃布、覆銅板與預浸料，致使供應資源愈加吃緊，延誤製程進度，進而波及SSD、eMMC及UFS等儲存產品出貨。
本報告分析DRAM市場，預計合約市場DDR5漲幅受限，DDR4現貨需求仍旺盛，受支撐美國大廠協議影響。NVIDIA動態成為焦點，供應鏈及產品預估調整，RTX PRO 6000D實際出貨與當前市場預期恐存在差距。
