研究報告


NAND Flash 研究報告


2D MLC 記憶體供給斷層:2026 價格海嘯與長線價格趨勢

2026/04/01

NAND Flash

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AI應用爆發促使大廠加速關閉傳統MLC產線以轉進先進製程,導致嚴重供給斷層。受限設備交期遞延,台系廠商無法擴產填補。預期合約價將迎來巨幅飆漲,且因具稀缺性,長期價格將維持高檔難跌。

NAND Flash市場快訊 - 2026年4月1日

2026/04/01

NAND Flash

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受企業級固態硬碟需求與雲端長約帶動,原廠合約報價強勢大漲;現貨市場則因買氣停滯而走弱。輝達次世代資料處理單元與專屬儲存架構解決人工智慧推論瓶頸,強力推升超大容量固態硬碟需求,未來佔總市場比例將居絕對主導地位。

2026年3月NAND Flash Wafer合約價格

2026/03/31

NAND Flash

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因原廠嚴控產能與AI需求強勁支撐,近期NAND Flash晶圓價格續漲但呈結構性分化。MLC受停產效應致供應緊縮,價格飆升最猛;TLC高容量受原廠保守策略影響漲勢收斂;QLC則穩健上行。預期供應吃緊將支撐後市價格溫和持續上揚。

2026年3月NAND Flash合約價格

2026/03/31

NAND Flash

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受AI裝置、機器人與工控強勁需求帶動,加上原廠產能轉移致成熟製程供給斷層,NAND Flash市場嚴重供不應求。SLC受惠新興應用全面翻漲;MLC因極端缺貨引發恐慌性拉貨而飆升。預期供應失衡將延續,整體價格維持強勁上行態勢。

記憶體長約採購展望:全球產能保障戰略解析

2026/03/30

DRAM , NAND Flash

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受AI需求驅動,記憶體採購從價格導向轉為確保供應的長約模式。原廠透過預付款與最低保障價格機制優化產能,提高買方財務門檻。北美雲端業者享優先分配權,中系及消費電子品牌居次。考量新廠建設所需時間,長約已成買家鎖定未來產能的必要戰略。

TurboQuant重塑AI推理:記憶體需求擴張解析

2026/03/27

DRAM , NAND Flash , AI/HBM/Server

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TurboQuant以無損降維壓縮技術突破語言模型推理的記憶體瓶頸,大幅提升運算效能。成本下降反激發長序列應用需求,全面帶動雲端與邊緣端對高頻寬、主記憶體及快閃記憶體的規格升級與長期需求擴張。

全球SSD終端價格 - 2026年3月27日

2026/03/27

NAND Flash

 EXCEL

在全球SSD終端價格表中, 集邦科技依照不同品牌、容量(從120B 到 2048GB及以上)、使用介面( SATA3, PCIE 3.0,4.0,5.0)等項目區分產品別。

2026年第二季記憶體價格展望

2026/03/26

DRAM , NAND Flash

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受AI伺服器強勁需求帶動,記憶體原廠將產能全面轉向高階與企業級產品,導致消費型電子供應遭嚴重排擠。儘管終端消費市場因成本大增而面臨出貨下修與規格降級壓力,但在供給緊缺下,合約價將維持強勁漲勢。

NAND Flash市場快訊 - 2026年3月25日

2026/03/25

NAND Flash

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受AI與資料中心強勁需求驅動,記憶體躍升為戰略物資,NAND合約價預期將大幅飆升,帶動現貨市場築底回升。指標大廠財報亮眼並簽訂多年期戰略協議,顯示產業已擺脫傳統週期,轉由AI主導結構性改變,步入高單價、高毛利與低庫存的新常態。

智慧手機容量展望:AI與製程升級帶動增長 - 2026年

2026/03/18

DRAM , NAND Flash , 智慧手機

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儘管快閃記憶體成本高漲,受邊緣人工智慧升級需求、供應鏈製程演進淘汰低階晶片與品牌調整產品結構帶動,手機平均容量將逆勢成長。高階品牌主導規格升級,中低階品牌則被迫推升基礎容量,確立大容量標配趨勢。

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