合約市場DRAM價格預期大幅上漲，美光漲幅領先。現貨市場因看漲惜售，DDR4稀缺，DDR5同步走高。AI發展將從訓練階段的HBM需求，轉向代理人時代對CPU與傳統伺服器DRAM的爆發性需求，全面推升記憶體市場。
AI伺服器與晶片需求續強，GPU與自研ASIC並進；中國自主化加速。本土與美系雲端擴產推動供應版圖變化。高階液冷滲透顯著提升，低階仍以氣冷為主。推論帶動企業級SSD朝高容量發展，整體市場維持成長動能。
DRAM市場強勁，合約與現貨價格大幅上揚，賣方主導態勢確立。美光受惠於AI與伺服器需求，季度營收及毛利率創高，展望優於預期。其HBM業務進展迅速，技術與市占領先，鞏固市場地位。預期DRAM供給持續緊縮，價格將持續...
2025年DRAM合約價持續走高，原廠因伺服器需求強勁，將產能優先轉至先進製程，使PC DRAM供給轉趨吃緊。PC OEMs為因應未來漲勢，可能調整採購策略。
2025年9月伺服器DRAM合約價因CSPs追加需求持續上漲，DDR5/DDR4價格續揚，8000MT/s模組將加速普及。2026年需求強勁且供應緊張，預計漲勢將延續。
Samsung已完成與NVIDIA的HBM3e產品認證並啟動小量出貨，HBM3e將成為未來需求主流；廠商間市占與價格競爭加劇，HBM4技術升級預期推高成本並帶來溢價，供應與認證時程將決定價格走向。
4Q25記憶體漲價動能延續，主因AI需求強勁、供應商重利潤限產。伺服器DRAM及企業級NAND Flash受美系CSPs提前採購、HDD短缺影響，漲幅顯著，舊製程產品供給尤為緊俏。
因地緣政治影響，RTX PRO特規版在中國前景有待觀察尚在等待放量中；CPX將採用GDDR7記憶體並提升容量，與以HBM為主的 Rubin GPU互補，惟短期仍以現有方案為主。
NVIDIA Rubin平台預計於2026年中至下半年完成封裝與伺服器裝配，HBM4送樣、認證及量產需提前完成。為因應AMD競爭，NVIDIA推升HBM4規格。
2Q25 server DRAM營收季增11%，DDR5出貨增長及DDR4價格回升是主因。CSP去庫存後轉為補庫存，DDR4因storage server應用需求強勁，成亮點並轉為長尾產品。Samsung市佔領先，SK hynix營收增幅最大，Micron受益於高容量...
4Q25合約市場Server及Smartphone DRAM價格皆看漲。TrendForce將因AI應用與主權AI擴展，上修2026年伺服器與DRAM需求預測，預期位元成長率提升並收斂上半年價格跌幅，HBM3e產品仍有價格壓力。
第二季DRAM營收因價格與出貨量顯著增長，第三季動能預計持續，價格漲幅加速。US CSPs需求穩健但庫存略高，智慧手機需求疲軟，採購保守，LPDDR4x供貨緊俏。
DRAM合約價預計年底前達高峰，新產能開出後將下跌。DDR4恐面臨長期嚴重短缺。HBM3e價格趨軟，HBM4維持高溢價，三星技術領先。AI伺服器需求強勁，帶動提前下單與LPCAMM2等新記憶體方案。
AI運算面臨記憶體瓶頸，HBM受限於容量與成本。NAND Flash憑藉HBF與AI SSD，提供高頻寬近端記憶體與智慧數據處理，有效補足HBM容量，並分擔運算負載，使其成為AI基礎架構核心，重塑其產業價值。
這份全面的季度報告詳細介紹了市場趨勢、供應商比較和預測數據。它提供了關於HBM生產概覽、規格展望以及出貨量預測等分析。
