AI帶動HBM與存儲單價回升，使記憶體產值超越並領先晶圓代工。反觀晶圓代工受成熟製程疲軟與擴產受阻影響，增長放緩。在空間受限下，記憶體憑藉高效產出與價格彈性，成為產業增長主軸。
2026年HBM市場持續成長，SK hynix維持市占領先，Samsung受惠於HBM3e回溫與HBM4貢獻，營收與市占顯著復甦，Micron亦積極擴產。雖主流轉向HBM3e及HBM4，但受晶片升級延遲與庫存堆積影響，整體成長增速放緩，供需轉趨收...
1Q26合約價議定遞延，現貨價高檔持穩。主要大廠財報顯示價量齊揚，庫存見底且產能轉向高利潤AI產品，導致傳統DRAM供應緊縮。儘管消費性需求受漲價影響轉弱，但AI強勁需求足以抵銷。HBM次世代規格競爭白熱化，賣方市...
供給受限使合約市場呈賣方主導，價格看漲，惟現貨高價已抑制買氣。財報顯示AI帶動企業級SSD需求，推升韓系大廠獲利。展望未來，業者聚焦製程升級與高容量技術以滿足AI架構需求，資本投資側重技術演進而非單純擴產，...
Samsung憑藉先進製程與美廠重啟重返成長；SMIC與Nexchip積極優化高壓製程爭取訂單，惟成熟製程價格承壓；HuaHong透過廠區產能調配提升效率；其餘陸系代工廠擴產進度放緩且面臨技術挑戰。整體市況呈現先進製程復甦強...
合約價格預測大幅上調，尤以PC應用領漲，後市仍看漲。現貨市場因高價致先進產品交易停滯，需求轉向價格較低的成熟製程。長鑫存儲加速先進製程轉進，預期全球產出占比攀升，並鎖定高容量DDR5與HBM研發，致力提升設備...
合約市場受原廠獲利導向驅動，價格延續高檔；現貨市場雖價漲但買氣觀望，賣方堅持惜售。長存(YMTC)受惠新廠投產與技術提升，市占將顯著增長，積極推動供應鏈國產化，並拓展高階儲存與DRAM研發，配合IPO計畫轉向獲利...
AI浪潮推升台積電擴產並調升長期展望。世界先進受惠電源管理需求，稼動率與價格齊揚。聯電維持穩健增長；力積電則藉記憶體回升帶動產能利用率走強。
1Q26 DRAM受AI強勁需求驅動，產能排擠效應顯著，確立為賣方主導的極端上漲週期。合約與現貨價同步飆升，預測展望持續上修。原廠優先滿足高獲利伺服器訂單，導致消費型與PC領域面臨嚴峻缺貨與成本壓力，整體呈現有價...
1Q26受AI強勁需求驅動，NAND Flash開啟超級週期。原廠嚴控產能並優先供應企業級產品，完全掌握定價權，導致全線價格顯著上揚。儘管消費終端疲弱，但在結構性短缺下，漲勢將延續，迫使買方接受高價，供應鏈面臨成本與...
Samsung 2026年聚焦先進製程，產能利用率將滿載；SMIC因需求熱絡全面調漲八吋與記憶體代工價；HuaHong擴充產能並推進特色製程平台；GlobalFoundries開發車用BCD與22nm Bulk CMOS新技術爭取訂單；Nexchip受惠國產替代...
DRAM市況在三星領頭下，合約價漲幅顯著，以Server DRAM為首。現貨市場無視年底盤點持續走強，DDR4供應緊缺。原廠庫存低位掌握議價權；買方除部分頭部大廠外，普遍面臨庫存下滑與搶貨困境，供應鏈缺貨與分配不均態勢...
受惠AI伺服器強勁需求，原廠產能轉向高利潤產品，導致其餘應用面臨嚴重缺貨，推升合約與現貨價格。目前供應端庫存處於低檔，市場重回賣方主導；PC與手機端庫存因供貨受限而下滑，僅雲端大廠維持戰略備貨，預期在產能...
DRAM供給缺口擴大，驅動合約與現貨價格強勁上揚，預期首季漲幅顯著且具上修空間。美光財報營收與毛利率大幅優於預期，並預示供應緊缺將延續多年，遂洽談長約並顯著增加資本支出布局HBM及先進製程。機構研判賣方議價...
NAND Flash受限於供給控管，合約與現貨價格同步走揚。美光財報顯示營收與毛利率大幅躍升，主要受惠於AI與資料中心強勁需求。展望未來，高容量QLC與企業級SSD為關鍵動能，公司將持續聚焦高毛利應用以優化獲利結構。
