TrendForce除針對主流NAND Flash市場提供產業分析以外，亦針對較利基的SLC NAND市場提供完整的供給與價格分析。
全球資料中心用電加速成長，動能集中於AI伺服器，佔比持續攀升。惟美國電網可交付能力明顯落後出貨需求，加上期中選舉推升法規收緊，遞延風險升溫，長期成長能否延續仍待電力供給端跟上。
AI伺服器驅動傳統DRAM與HBM需求熱絡，供給緊縮推升合約價，帶動原廠營收大幅成長。雖然伺服器應用搶佔產能，但終端如電腦與手機因成本過高導致需求放緩。買方轉向低容量規格因應高價，三大原廠與台廠皆透過產能轉型...
人工智慧浪潮持續驅動高容量記憶體需求，帶動合約價格飆漲與產業營收強勁成長。雖然三大原廠積極優化先進製程與擴建新廠以增加位元供給，但整體產能擴增速度仍難以滿足強勁需求。在價格高漲下，供應商獲利顯著改善，...
超大型CSP資本支出強勁，推升AI伺服器出貨動能延續成長，NVIDIA新平台陸續放量、需求能見度已延伸至未來多年；惟上游關鍵料件供給緊俏，產業重心逐漸由需求驅動轉向供給決定出貨步調，液冷散熱需求同步升溫。
隨次世代AI平台規劃調整，HBM 4hi樣品需求浮現，惟容量偏低、資料中心導入意願低；部分終端應用另具評估空間，但規格仍處早期，供應端投入保守，短期以樣品階段為主。
Apple新任執行長Ternus首掌iPhone發表會，秋季推出Pro、Pro Max及首款摺疊機Fold，規格微幅升級但記憶體成本暴漲壓縮獲利，定價策略與AI應用落地成銷售關鍵。
PC記憶體季漲幅獲上修；現貨市場成交則相對低迷。HBM方面，合約談判陷膠著，規格亦存在變數，但價格仍具強勁潛力。未來相關產品將朝客製化、多元分層與封裝簡化發展，由單一規格競爭轉向市場細分。
AI需求推升HBM出貨動能延續至未來訂單，技術世代加速演進，需求版圖自輝達獨大轉向雲端業者自研晶片，供給吃緊帶動訂價權轉向供應商，惟傳統記憶體報價走揚稀釋HBM營收占比。
伺服器DRAM需求強勁且受HBM排擠，推升合約價。買方為優化成本轉向中低容量模組，高容量貨源轉向OEM，使原廠維持低庫存與議價優勢。高容量溢價逐步收斂，原廠則調漲短缺模組價格。業者下修HBM堆疊規格以擴大晶片出貨...
消費性記憶體供需缺口持續，價格微幅上揚。受限於買方成本承擔能力，合約價漲幅收斂。供應商透過長約鎖定多數產能，加上企業級硬碟需求爆發排擠一般消費型應用，市場結構性緊縮態勢預計將延續至明後年。
受原廠產能傾斜影響，利基型NAND Flash供需失衡延續。SLC受剛性需求支撐維持溫和上漲，惟漲幅較前月收斂；MLC則因買方成本壓力達極限，漲勢近乎持平，進入高檔盤整期。展望後市，SLC續漲但增速放緩，MLC則趨向價格穩...
高昂正品晶圓價格擠壓模組廠利潤，加上終端需求疲弱，業者轉向採購降級物料供應次級市場以降低成本，原廠亦樂見消化庫存。市場整體高檔震盪，除特定規格因供給受限或高容量補漲呈微幅上升外，多數產品維持平穩，買賣...
記憶體成本攀升引發消費者提前購機，推動智慧型手機短期生產表現回溫，TrendForce因而調升全年產量預測。然而，此現象僅屬需求提前釋放而非實質復甦。隨著成本壓力持續傳導，終端售價上揚將使低價機種消失，未來市場...
原廠拉升報價與終端出貨微幅回溫，帶動PC DRAM合約價持續走揚。考量未來產能排擠導致供給緊縮，系統廠積極提前備貨拉高庫存，並透過降規策略因應成本壓力。同時，供需失衡促使現貨行情居高不下，供應商亦啟動長期供...
