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三大HBM供應商法說會聚焦HBM4量產進度與HBM4e布局，產業重心由良率競爭轉向定價權與下世代規格主導；雖傳統DRAM利潤率短期反超HBM，供應商仍維持均衡產品組合，並看好HBM長期合約價走升。
伺服器與人工智慧需求強勁，帶動記憶體合約價預期上修，惟現貨買氣保守。原廠財報顯示庫存見底，高階應用推升獲利。新世代HBM將量產並成營收主力；因議價機制差異，RDIMM利潤暫領先，預期HBM日後將落後補漲收斂差距...
消費端疲軟使合約與現貨市場陷入僵局且價格承壓。然受惠人工智慧伺服器強勁需求，三星獲利躍升。未來將聚焦先進製程、大容量企業級固態硬碟與高效儲存技術，並擴大資本支出以應對日益嚴峻的供需缺口，全面轉型高價值...
本報告包含全球及中國地區全面的市場更新，深入闡述特定區域的市場格局和市場規模，並提供了長期預測。
本報告提供全面的全球積體電路和半導體市場分析，涵蓋各種應用和產品類型，並預測積體電路和半導體行業的形勢。
2Q26 smartphone Mobile DRAM 合約價延續強勢，其中Samsung、Micron率先報價，SK hynix及CXMT則僅提供臨時價格，預估5月完成議價。1H26以降，連續兩季度的高額漲幅使品牌端成本壓力難以消化，不僅2026年smartphone產...
2026年HBM市場延續強勁成長，受惠CSPs與ASIC客戶加單湧入，HBM3e報價意外轉為上修，blended ASP接近持平；SK hynix穩居領先，Samsung在HBM3e新版本與HBM4貢獻下顯著回升，Micron因台灣TSV擴產同步加速。
伺服器記憶體因供不應求且原廠庫存觸底，賦予原廠絕對定價優勢，帶動合約價持續大幅上修。儘管原廠將手機產能轉移至伺服器以擴大供給，但受惠於雲端業者持續擴張AI與資料中心資本支出，強勁需求使供給缺口依然龐大，...
PC DRAM本季合約價續漲但動能已較前期收斂。因高昂成本衝擊終端電腦換機需求，出貨展望遭下修。供應商提早報價且不再輪番喊漲，使商談氣氛降溫並脫離極端賣方市場。現貨端因庫存充足轉趨盤整，長約則顯示未來價格將...
大廠退出成熟製程使利基型記憶體供給收斂，產能排擠推升合約價，漲勢輪動至中容量產品，市場由賣方主導。受限產能，台廠策略分化：部分轉向固態硬碟客戶並推進主流規格，部分則固守舊世代產品。
近期NAND Flash晶圓合約價漲勢顯著收斂。因成本高企且終端消費疲軟，模組廠採購轉趨消極，呈現價高量縮。主流與大容量品項漲幅放緩，僅傳統低容量因供給極缺維持強漲。遇傳統淡季若需求未復甦，價格恐面臨橫盤整理，...
受AI邊緣運算需求爆發與原廠成熟製程減產雙重發酵影響，本月NAND Flash市場迎來價格狂飆。SLC因供給告急引發恐慌性備貨，呈現罕見劇烈漲幅；MLC亦在庫存枯竭下維持強勁上漲。短期內供給失衡難解，報價預期將持續攻堅...
伺服器需求推動2Q26 RDIMM合約價上修，現貨市場則持續疲弱。SK hynix獲利激增並推進新產品量產。在低庫存與產能瓶頸市況下，RDIMM價格反超HBM，然SK hynix不求短期獲利，仍追求HBM與conventional DRAM的長線平衡發展...
2026年第二季全球伺服器市場動態與展望
受AI伺服器強勁需求帶動，企業級儲存產品獲利豐厚，原廠積極擴展先進製程。然而，終端高成本導致消費市場需求疲軟，合約價談判陷入僵持；現貨市場則因庫存拋售面臨買氣低迷與價格下修。
