2026年1月NAND Flash受原廠縮減成熟製程產能影響，SLC與MLC供給吃緊，疊加車用與工控等利基需求穩健，合約價逆勢全面上揚。由於產能結構性收縮難以逆轉，供需失衡態勢將延續，預期後市價格走勢維持強勁，其中MLC因缺...
受惠於CSP與OEM業者之供給缺口，DRAM原廠議價能力增強，帶動合約價顯著上修。PC端庫存下滑且模組廠報價高昂，原廠貨源具吸引力；伺服器端因獲利躍居產業首位，促使產能傾斜。預期合約價將持續強勁上揚，買方磋商空間...
合約價格預測大幅上調，尤以PC應用領漲，後市仍看漲。現貨市場因高價致先進產品交易停滯，需求轉向價格較低的成熟製程。長鑫存儲加速先進製程轉進，預期全球產出占比攀升，並鎖定高容量DDR5與HBM研發，致力提升設備...
合約市場受原廠獲利導向驅動，價格延續高檔；現貨市場雖價漲但買氣觀望，賣方堅持惜售。長存(YMTC)受惠新廠投產與技術提升，市占將顯著增長，積極推動供應鏈國產化，並拓展高階儲存與DRAM研發，配合IPO計畫轉向獲利...
受惠北美CSP推廣AI Agent及Nvidia新DPU方案，引爆Enterprise SSD需求。因供應商產能轉往DRAM導致嚴重缺貨，買方激進備貨推升合約價創歷史新高。在產能受限且大容量SSD成AI關鍵組件下，供不應求恐將延續。
受生成式AI推動，高階存儲需求激增恐致產能短缺。美光遂於新加坡擴建先進晶圓廠，並執行重大戰略轉型，淡出行動裝置市場，將資源全力轉向高毛利的伺服器與企業級SSD領域，以鎖定資料中心對高效能存儲的長期需求並擴...
美擬徵記憶體關稅強化在地供應，惟韓廠受成本與時程制約，台廠因市場屬性赴美意向低。若實施，高昂成本勢必轉嫁買方，且美國製造效益有限，廠商或更傾向日本等友岸外包策略分散風險。
受 AI server 與高階運算強勁需求帶動，記憶體市場自 2H25 起進入超級漲價週期。記憶體成本不斷攀升，迫使品牌調高終端售價並收斂低階機種，以因應成本壓力。在此背景下，2026 年全球 smartphone 生產年減幅度在悲觀...
1Q26記憶體價格漲勢持續，全年迄今仍未出現明確止漲訊號。在這波超級漲價週期中，各品牌雖透過終端售價調整與產品結構優化勉力維持營運，但生產總數已轉為年減且跌幅持續擴大。值得注意的是，即便前景展望悲觀，但為...
受政策驅動，中國業者加速HBM布局以支援國產AI晶片。CXMT主攻先進製程但技術挑戰高，JHICC則以成熟製程切入特定應用。目前兩家均處於技術驗證與產能建置初期，短期對全球市場影響有限，重點在於長期供應鏈自主化。
TrendForce指出，AI架構升級引領記憶體結構性需求，DRAM與NAND Flash成關鍵資源。受惠CSP擴大投資，供需失衡推升價格與產值屢創新高。在高效運算強勁支撐下，供應商掌握定價權，缺貨態勢難解，整體市場營收成長動能...
美光收購力積電銅鑼廠房以加速擴充產能，雙方同時簽署DRAM技術授權與先進封裝代工協議。此戰略合作助美光解決AI帶動的產能瓶頸，並強化力積電成熟製程競爭力，預期將顯著提升未來DRAM產業整體供給量能與技術層次。
受惠於伺服器與AI強勁需求，DDR5產能排擠效應擴大導致價格飆漲；HBM3e因訂單增加與規格升級，原廠議價能力提升使價格轉為看漲。儘管SRAM具低延遲優勢，但受限於成本與容量，短期難以撼動HBM的主流地位，兩者將呈現互...
原廠為滿足高毛利伺服器需求，縮減PC DRAM供給並採差異化配貨。受此供需排擠與成本轉嫁影響，大幅上修首季合約價漲幅預測。面對價格漲勢確立，建議買方應強化核心供應鏈關係以確保貨源。
1Q26 DRAM受AI強勁需求驅動，產能排擠效應顯著，確立為賣方主導的極端上漲週期。合約與現貨價同步飆升，預測展望持續上修。原廠優先滿足高獲利伺服器訂單，導致消費型與PC領域面臨嚴峻缺貨與成本壓力，整體呈現有價...
