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缺貨效應導致NAND Flash合約與現貨價格飆漲，庫存告急引發市場恐慌性備貨。同時，長江存儲積極擴張產能並精進製程技術，更計畫啟動上市及跨足DRAM領域；其強勁的成長動能預期將顯著提升市占與營收，進而改變全球記憶...
受惠AI推論應用爆發與HDD嚴重缺貨，訂單大量轉向高容量企業級SSD。然原廠擴產保守，產能無法滿足此波急單，導致供需嚴重失衡。在庫存健康且供應緊縮下，預期第四季全線產品合約價將顯著飆升，尤以晶圓漲幅最劇，整體...
2025年伺服器DRAM合約價格大幅上升，主因供應緊張及原廠庫存低水準下調漲幅度。雲端服務商、OEMs均積極接受價格調升，預期2026年需求續增，原廠加速擴產應對，未來供給動態需持續關注。
PC DRAM 4Q25合約價大漲，受原廠供應偏緊及需求端庫存補充影響，DDR4與DDR5均價持續上升，並可能推升PC整機價格與壓抑銷量。
Server DRAM需求大增推動11月價格漲勢，consumer DRAM亦超過兩成漲幅；DDR4、DDR3價格同步上揚，台系廠調整產能以獲利。由於庫存成本攀升，品牌商壓力增，2026年消費型終端產品出貨恐減少。
記憶體價格飆漲推高整機成本與售價，衝擊消費市場。TrendForce因此下修2026年智慧型手機、筆電和遊戲主機的出貨預測。遊戲主機恐因成本壓力放棄降價，轉向高價保利。
供應緊張，加上AI與企業級SSD需求強勁，11月NAND Flash wafer價格大幅上漲，部分產品漲幅超過六成。原廠優先企業客戶與高端產品，產能拉緊，預期漲勢將持續至12月，消費性需求回溫有限。
原廠持續減少SLC與MLC供給，電信、車用等需求強勁，導致NAND Flash合約價格持續上漲。MLC漲幅明顯，SLC需求穩健，供應緊縮格局預期延續，價格短期內仍有上行空間。
3Q25 Smartphone產業受傳統旺季與新機發表帶動，季度、年度生產表現均呈現正增長。展望第四季，受記憶體成本大漲衝擊，低階手機品牌盈利壓力劇增，將導致部份品牌的季度產量面臨下調。另一方面，產業高低階分化趨勢...
2025年全球smartphone出貨量年增微幅，其中中國市場占全球近1/4份額。該市場同樣呈現品牌高度集中的趨勢，前五大品牌合計市占突破八成。展望明年，中國市場在補貼效益消減或取消的影響下，可能面臨衰退。
3Q25 Mobile DRAM 營收表現主要由合約價格上揚驅動，總產值季增近三成。展望 4Q25，隨著合約價再度顯著上修，營收也將持續向上攀升。然而在產能約束下，原廠資源可能更傾向配置至高獲利或具戰略地位的產品線，導致mo...
2025年第四季全球伺服器市場動態與2026年展望
TrendForce顯示AI應用促使Server對DRAM需求增加，導致產能緊張。三星、SK hynix與美光計劃擴大DRAM生產以應對未來幾年需求，預期2026年DRAM市場仍供不應求。
3Q25 DRAM市場價量齊揚，雲端服務商積極採購及高頻寬記憶體擴張為主要動能。原廠庫存水位低，預期4Q25合約價將大幅加速上漲，各廠利潤率顯著提升。
企業級SSD市場在第三季因AI推論與伺服器布建而強勁復甦，價量齊揚。供應商謹慎擴產，加上超大容量產品需求爆發，導致第四季供不應求，預計價格將大幅上漲，市場轉為搶料。
