日本地震未影響鎧俠北上廠運作。在同業因AI熱潮優先投資DRAM導致NAND Flash擴產受限下，具備充裕潔淨室空間的K2廠成為關鍵。鎧俠採穩健策略佈局次世代製程，該廠將是未來市場供給趨緊時，極少數具備實質擴張潛力的戰...
美國為防堵中國晶片全面自主化，擬放行NVIDIA H200出口，作為舊款H20與先進Blackwell平台間的折衷方案。此舉將填補H20空缺，吸引中國互聯網巨頭採購，雖面臨國產化政策競爭，仍有望維持一定市占，供應鏈已著手調整備...
美國資料中心建設帶動DDR5等傳統DRAM需求，價格漲勢強勁。未來供應商將依賴HBM4及資料中心DRAM雙引擎支撐獲利。隨著標準型記憶體價格回升與HBM價格動態調整，整體營收結構與獲利模式將產生變化。
受惠AI與CSP業者強勁備貨，加上HBM產出擴張，DRAM產業價量齊揚。原廠庫存降至低點且產能轉向高階應用，導致一般型DRAM供應緊缺。展望第四季，買方積極搶貨加深供應商惜售心態，預期全線產品合約價漲幅將顯著擴大，獲...
TrendForce顯示AI應用促使Server對DRAM需求增加，導致產能緊張。三星、SK hynix與美光計劃擴大DRAM生產以應對未來幾年需求，預期2026年DRAM市場仍供不應求。
3Q25 DRAM市場價量齊揚，雲端服務商積極採購及高頻寬記憶體擴張為主要動能。原廠庫存水位低，預期4Q25合約價將大幅加速上漲，各廠利潤率顯著提升。
本報告聚焦NVIDIA資料中心成長與整櫃解決方案趨勢，強調以大型架構與液冷為核心的創新動力，並留意地區市場與風險。
AI與資料中心帶動先進記憶體需求高漲，產能瓶頸推升以晶圓為定價錨；HBM仍緊俏但議價分化，原廠在DDR5與HBM間動態調配，追加需求不排除轉向漲價。
伺服器DRAM價格預計大幅上漲，因原廠供給緊張及雲端服務商強勁需求。為確保供給，客戶積極洽談長期合約，激勵原廠擴大產能投資。原廠將生產重心轉向高利潤的DDR5。市場預期供不應求將持續，大規模新產能需數年方能投...
DRAM市場因雲端服務商與AI需求強勁，供給吃緊導致價格持續飆升，合約與現貨價皆顯著上揚。原廠庫存降至低點，正積極擴大資本支出並與客戶洽談長期供應，預計雙位數漲勢將延續。
AI引領記憶體需求激增，促使資本支出預期上修。然而，由於無塵室空間有限及投資重心轉向先進製程、高附加價值產品，而非單純擴增產能，導致未來位元產出增長將顯保守。設備商普遍看好AI驅動需求，但記憶體技術門檻正...
本報告聚焦全球人工智慧伺服器市場與供應鏈動態，說明主要客戶與晶片供應商在關鍵技術與製程演進中之角色，並強調算力需求與產能分布的相互影響，著眼未來機遇與風險。
報告指出三大廠積極擴充HBM產能，2025年出貨持續上修，SK hynix領先擴產至150K，Micron台灣廠區同步增能，2026年將全面啟動HBM4量產，Samsung重返供應、出貨增幅居首。
關稅與政策使早期需求保守，然雲端擴張與AI投資推升記憶體需求與報價，DRAM供應轉緊。DDR5漲勢確立、獲利有望超越HBM3e，供應商產能與價格策略將重塑市場格局。
此報告指出，Google、AWS等雲端巨頭對HBM的需求顯著增長，HBM容量與部署在各代晶片上持續提升；META與Huawei逐步成為新興買方，HBM需求預期穩步走高，推動產業景氣改善。
