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鎧俠 K2 廠震後無虞，NAND Flash擴產戰略樞紐
發佈日期
2025-12-09
更新頻率
不定期
報告格式
日本地震未影響鎧俠北上廠運作。在同業因AI熱潮優先投資DRAM導致NAND Flash擴產受限下，具備充裕潔淨室空間的K2廠成為關鍵。鎧俠採穩健策略佈局次世代製程，該廠將是未來市場供給趨緊時，極少數具備實質擴張潛力的戰略籌碼。
重點摘要
- 地震影響微乎其微：震度未達停機標準，北上廠區設備運作與晶圓產出完全正常，供應鏈未受波及。
- 策略性穩健擴張：K2廠將採取穩健步調，聚焦於次世代製程技術的研發與演進，為高層數技術預作準備。
- 資源排擠效應：受AI驅動HBM需求影響，主要競爭對手優先將資源傾斜於DRAM，導致NAND Flash擴產計畫受到明顯壓抑。
- 獨家空間優勢：相較於同業產能受限，K2廠擁有充裕的潔淨室空間，是市場上少數仍具顯著擴充潛力的亮點。
- 掌握戰略主導權：在未來NAND Flash供給可能趨緊的結構下，K2廠將助鎧俠掌握調節供給與搶佔市佔的關鍵優勢。
目錄
- 日本地震安然無恙，Kioxia K2廠為未來NAND Flash擴產關鍵樞紐
- DRAM排劑效應下，K2廠區成未來NAND Flash唯一擴張可能性，但投資心態保守
- Kioxia’s Plans for Its Fab Sites
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報告分類: NAND Flash
