伺服器記憶體合約價持續看漲。因買方面臨供給缺口積極爭奪貨源，加上原廠庫存低迷及高頻寬記憶體排擠效應，支撐原廠議價優勢。高容量模組溢價隨著產能穩定與需求轉移而收斂。雖然短期庫存攀升，但隨處理器供應改善，長遠市場供不應求將更趨明顯。
PC DRAM季度合約價持續上漲但升幅收斂，買賣雙方陷入僵持。受伺服器需求擠壓影響，原廠未來產能將顯著縮減；需求端則因終端售價上揚抑制消費，筆電出貨大幅下滑。買方對價格高度敏感且積極抵制大幅調漲，惟原廠掌控議價主導權，剛性需求仍支撐價格堅挺。
儘管消費型需求因成本過高而退場、現貨與合約價出現倒掛，但三大原廠產能持續轉向高效能與伺服器產品，成熟製程供給結構性緊縮未變。在車用、工控及伺服器需求支撐下，消費性記憶體合約價維持上行，惟漲勢已較先前趨緩，未來價格成長將漸趨溫和。
DRAM賣方維持高價意向，但買方接受度下降致合約議價陷入膠著，現貨交投亦有限。儘管消費端需求轉弱，但在供給限縮與缺貨預期下，客戶仍採取防禦性備貨，使整體市場呈現價格高檔盤整與庫存堆疊的拉鋸觀望格局。
受雲端服務業者強勁需求推動，HBM與伺服器模組需求急升。然受限於設備交期與產能轉移，供給成長持續落後，傳統記憶體遭嚴重擠壓，市場供不應求態勢難解，價格將維持高檔，資本支出與採購策略仍需持續關注。
DRAM因人工智慧伺服器需求強勁與HBM產能排擠，加上新廠實際產出遞延，供給持續緊縮，延續賣方市場；NAND Flash則受惠於新產能陸續釋放與消費端需求疲弱，供需結構轉趨寬鬆，下半年將面臨價格修正壓力，兩者循環呈現明顯分化。
2027年DRAM與NAND Flash供需將出現分歧；在 AI server 強勁拉貨下，DRAM缺口將進一步擴大；反之，NAND在消費端需求疲弱與製程轉進帶動位元產出增加下，sufficiency ratio有望由負轉正，並於2H27面臨價格修正壓力。不過，若僅有NAND價格回落，對消費型產品整體成本的舒緩仍相當有限。整體而言，2027年價格走勢仍充滿變數。
全球AI伺服器市場動能持續增強，CSP業者與Tier-2資料中心積極擴大整櫃式方案採購，Google、Amazon與Meta同步深化自研晶片布局，OEM廠商訂單同樣顯著成長，帶動伺服器產業維持強勁擴張態勢。
3Q26 server DRAM合約價格預期顯著上漲，現貨市場交投清淡；展望2027年，AI需求持續擴張致供需缺口擴大，三大原廠積極擴產轉進先進製程，惟供給成長仍落後需求，賣方市場格局料將延續。
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