1Q26 Mobile DRAM 營收在合約價大幅上調下再創新高，主要成長動能來自ASP上揚。供應來看，原廠將資源投注AI及server相關，消費型Mobile DRAM長期供給維持吃緊。目前供給市場高度集中於 Samsung、SK hynix、Micron與CXMT，其中CXMT依托LPDDR4X的供給貢獻產值提升，四強格局成形。台系Nanya與Winbond則因大廠退出舊世代與小容量市場而短期受惠，但規模有限，後續成長仍仰賴價格走勢與新產能釋出。
合約市場買氣強勁由賣方主導漲勢，現貨市場則呈保守觀望。展望後市，原廠產能集中先進製程與HBM，導致舊世代產品短缺。受擴廠週期限制，整體供給吃緊將延續數年，促使買方以長約保底，HBM未來亦將迎來大幅補漲。
受惠人工智慧推論需求擴展至一般伺服器，帶動記憶體採購擴張。因原廠庫存觸底且產能集中高毛利產品，供給吃緊推升合約價飆漲，帶動產業營收與獲利爆發。台廠則主攻成熟製程填補空缺；原廠將藉製程轉換緩步擴產。
美光於美國廠區投入鉅資，以先進製程啟動成熟期記憶體量產，專攻車用與航太等長生命週期領域。此內部產能轉移呼應美國製造政策，將使美光全球成熟期記憶體總產出收斂，在網通需求支撐下，短缺情勢恐將延續。
2026年全球server市場受AI雲端服務帶動，整體成長動能上修，AI server與一般型server需求同步推升，CSP CAPEX大幅擴張，OEM品牌則以整櫃式方案與液冷布局競逐市占。
伺服器與AI應用強勁需求發揮排擠效應，支撐DRAM市場呈現結構性供不應求，帶動合約與現貨價雙漲。供應商庫存見底，雲端及筆電廠為確保長線供貨積極追單並尋求簽訂長約；唯手機廠因高成本轉趨保守。整體供應緊俏態勢難解。
考量手機端成本，Mobile DRAM合約漲幅收斂，然伺服器需求上修使整體合約價持穩；現貨買氣回溫推升報價。因AI應用多元化與資源優化，Server DRAM各容量需求全面攀升，大容量仍為主力，未來成長將取決於CPU供應瓶頸之改善。
北美超大規模CSP業者資本支出持續擴張，挹注AI與通用型伺服器出貨同步成長，市場呈現GPU與ASIC雙引擎驅動格局，ODM廠商出貨展望全面上修，液冷散熱滲透率攀升，新世代平台陸續登場，產業成長動能可望延續。
伺服器與人工智慧需求強勁，帶動記憶體合約價預期上修，惟現貨買氣保守。原廠財報顯示庫存見底，高階應用推升獲利。新世代HBM將量產並成營收主力；因議價機制差異，RDIMM利潤暫領先，預期HBM日後將落後補漲收斂差距。
2Q26 smartphone Mobile DRAM 合約價延續強勢，其中Samsung、Micron率先報價，SK hynix及CXMT則僅提供臨時價格，預估5月完成議價。1H26以降，連續兩季度的高額漲幅使品牌端成本壓力難以消化，不僅2026年smartphone產量面臨下修，先前談定的LTA位元採購量也恐無法達成。未來在AI server持續搶占產能的背景下，smartphone品牌必須從軟體與系統架構切入，優化對記憶體的需求，才能在高成本與需求放緩夾擊下維持營運韌性。
