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NAND 3XX層世代—架構轉型的必然與Base Die的崛起
發佈日期
2026-04-27
更新頻率
不定期
報告格式
受人工智慧推升，新世代高階NAND成為主流。因傳統垂直堆疊面臨物理極限與效能衰退，產業核心轉向架構創新。透過將邏輯電路與記憶體分離製造並垂直鍵合的異質整合技術，突破傳輸瓶頸，奠定未來競爭優勢。
重點摘要
- AI推升需求：高階資料儲存需求大增，推動高層數NAND成為大廠開發核心。
- 遭遇物理極限：傳統垂直堆疊面臨高難度蝕刻、訊號延遲與良率衰退等瓶頸。
- 架構分離創新：解方轉向將邏輯電路與記憶體陣列分開製造，再以混合鍵合結合。
- 異質整合決勝：產業由「層數競賽」轉為「架構競爭」，晶圓代工合作成勝負關鍵。
目錄
- 2XX層成為產業主軸：AI推升技術升級
- Comparison of 3XX-L Product Specifications Among the Top Six NAND Flash Suppliers
- CMOS技術堆疊的效能極限：300層是道坎
- Read/Write Performance Degradation Due to Increased Layer Counts (Illustration of RC Delay)
- Base Die/Peripheral Die與CBA架構：邏輯與記憶體的重新分工
- Cross-Sectional Comparison of NAND Architectures: Conventional CUA v.s. CBA/Xtacking
- 從堆疊競賽到架構競爭：3XX層之後的產業邏輯
- Evolution (ONFI) of Speed (MT/s) for NAND I/O Interfaces
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報告分類: NAND Flash
