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全球記憶體供需分化：2027年DRAM結構性緊縮與NAND Flash供給過剩分析
發佈日期
2026-07-28
更新頻率
不定期
報告格式
DRAM因人工智慧伺服器需求強勁與HBM產能排擠，加上新廠實際產出遞延，供給持續緊縮，延續賣方市場；NAND Flash則受惠於新產能陸續釋放與消費端需求疲弱，供需結構轉趨寬鬆，下半年將面臨價格修正壓力，兩者循環呈現明顯分化。
重點摘要
- DRAM 供給端：業者雖調升資本支出與擴充產能，但受限於機台移入進度、建廠時程與先進製程長週期影響，實際顯著產出延後，且HBM大幅耗費晶圓，導致整體供給成長放緩，產能結構性緊縮。
- DRAM 需求端：人工智慧與通用伺服器驅動需求強勁；消費型終端受零組件成本過高衝擊換機意願，但客戶防禦性提前拉貨，使市場供不應求缺口進一步擴大。
- NAND Flash 供給端：各大原廠新產能陸續開出，加上加速轉進超高層數技術與提升特定產品比重，市場整體產出規模大幅擴張。
- NAND Flash 需求端：企業級固態硬碟採購力道強勁，惟消費性電子受售價調漲壓抑買氣；整體供需轉趨寬鬆，下半年面臨價格修正壓力，除非新技術普及顯著拉動需求。
目錄
- 2027年DRAM產能受限持續緊縮，NAND Flash新產能開出導致供需反轉
- DRAM買方防禦性備貨擴大，2027年供需缺口延續賣方市場格局
- 新產能開出與消費端需求疲弱，2027年NAND Flash供需轉趨寬鬆
- DRAM & NAND Flash Sufficiency Ratios
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報告分類: DRAM , NAND Flash
