研究報告

DRAM市場快訊 - 2026年9月9日

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發佈日期

2026-09-09

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記憶體合約市場128GB模組溢價隨需求調整而收斂;現貨市場需求有限。客製化HBM(cHBM)透過base die邏輯化釋放AI晶片空間並提升效能,惟面臨散熱、多源採購及高昂開發成本等挑戰,採用者將集中於少數大型業者。

重點摘要

  • 合約市場:RDIMM需求轉向中低容量,支撐大容量模組溢價逐步收斂。
  • 現貨市場:市場僅見零星採購,僅特定顆粒具實質訂單帶動價格小幅上漲。
  • cHBM技術優勢:Base die轉進邏輯製程可釋放晶片空間,並可整合控制器與簡易運算單元以提升整體效能。
  • AI大廠佈局:NVIDIA推出NVHBM,透過將控制器移入base die及提升單腳位速率以優化晶片面積與頻寬。
  • 發展瓶頸與挑戰:高功耗與散熱壓力增加、客製化阻礙多源採購,且開發驗證成本昂貴,短期僅集中於少數大型業者。

目錄

  1. Market Update
  2. TrendForce’s View
    • Comparison of sHBM and cHBM

<Total Pages: 2>

Comparison of sHBM and cHBM


報告分類: DRAM




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