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2025年第二季PC DRAM合約價持續上漲，供需變化使DDR4價格漲幅高於DDR5，原廠減供及市場提前備貨推升價格，3Q25 DDR4甚至超越DDR5。Nanya供應增加也帶動整體市價上揚。
DDR4停產消息引發搶貨潮，現貨及合約價大幅上漲，尤其DDR4 8/16Gb漲勢最劇。供需失衡持續，後續合約價仍看漲，消費性DRAM也供不應求。DDR3因供給仍高，價格較穩定。
3Q25記憶體市場因供給緊縮與旺季效應，舊規格如DDR4價格大漲，新品漲勢有限。NAND Flash上漲收斂，僅企業級產品動能強。供應商策略產能調整及各類需求疊加，推升整體記憶體價格高於預期。
DDR4因EOL效應推升價格與備貨需求，市場聚焦特定業者；DDR5受CSP回補訂單帶動小幅增量，整體價格持平。CSP平台推動下，AMD於Server市場滲透提升，高頻DRAM及新製程同步受惠，原廠獲益空間增加。
NAND Flash Wafer供應因原廠利潤導向產能分配趨緊，雖6月需求疲弱，但價格在供給限制下仍小幅上調，7月展望仍受市場動能及原廠調控影響，上漲空間有限。
受AI邊緣裝置與工控需求強勁影響，6月SLC、MLC NAND Flash合約價格持續上漲。SLC因高耐用特性，於智慧能源等新興應用需求強勁，維持價格支撐。MLC則受供應收緊影響，上漲顯著，預期價格後續續揚。
地緣政治影響及舊品停產促使DRAM價格走強，DDR4需求熱度高於DDR5。Micron將於年底停產舊世代DRAM，市占與議價力提升。新技術與AI應用帶動HBM成長，供給持續緊張。
合約市場持續協商，伴隨wafer價格上揚而推動client SSD合約調整；現貨市場因需求未達預期與交易低迷，呈現觀望態勢。Micron在供應趨緊下，利用PC OEM提前訂單、企業及車用市場的強勁動能，展現NAND Flash業務未來價...
隨著AI晶片熱潮推動CoWoS封裝產能迅速擴大，ABF載板需求攀升，而BT基板與之共用低熱膨脹玻璃布、覆銅板與預浸料，致使供應資源愈加吃緊，延誤製程進度，進而波及SSD、eMMC及UFS等儲存產品出貨。
本報告分析DRAM市場，預計合約市場DDR5漲幅受限，DDR4現貨需求仍旺盛，受支撐美國大廠協議影響。NVIDIA動態成為焦點，供應鏈及產品預估調整，RTX PRO 6000D實際出貨與當前市場預期恐存在差距。
中國推動國產化，企業伺服器與合約案需求增強，本地SSD出貨快速攀升。主要廠商積極擴展自製產品，降低成本，市場份額逐步提升。未來國產化進程將進一步改變市場格局，壓縮非中系廠商在中國的出貨空間。
2025年，HBM3e供需展望的能見度已高，市場關注重點轉向2026年即將量產的HBM4。HBM4價格較HBM3e有明顯溢價，原因包括晶粒尺寸擴大、I/O數倍增導致前後段製程成本上升，且製程節點提升與產品認證複雜度也增加供應風險...
DRAM合約價格續漲，DDR5與LPDDR5x持穩，DDR4因供給緊張價格出現超漲，預估後續漲勢收斂。CXMT積極擴產，未來發展仍受設備取得與政策影響 。
受企業級SSD需求帶動，NAND Flash合約價下一季度持續上漲，今年中國廠商推動產能，自主設備突破，專注提昇傳輸速度與技術創新，強化全球競爭力。
這份全面的季度報告詳細介紹了市場趨勢、供應商比較和預測數據。它提供了關於HBM生產概覽、規格展望以及出貨量預測等分析。
