NAND Flash市場受HDD缺貨及資料中心對企業級QLC SSD強勁需求驅動，合約與現貨價格全面反轉上揚。供應商聚焦QLC產出與製程升級，預期供不應求格局將推動價格自4Q25持續走高至3Q26。
NVIDIA Rubin平台預計於2026年中至下半年完成封裝與伺服器裝配，HBM4送樣、認證及量產需提前完成。為因應AMD競爭，NVIDIA推升HBM4規格。
TrendForce指出，AI驅動數據爆炸，資料中心儲存面臨結構性變革。HDD供應短缺加速QLC SSD需求，尤其高容量產品。儘管成本是考量，HDD缺口擴大促使北美CSP評估QLC SSD作為冷資料儲存替代方案。供應商產能限制與CSP價格...
2Q25 server DRAM營收季增11%，DDR5出貨增長及DDR4價格回升是主因。CSP去庫存後轉為補庫存，DDR4因storage server應用需求強勁，成亮點並轉為長尾產品。Samsung市佔領先，SK hynix營收增幅最大，Micron受益於高容量...
Samsung智慧型手機市佔領先，但受經濟與競爭影響，中低階機種出貨比重下滑。2026年部分旗艦機將採用Exynos 2600，區隔市場。LPDDR4X供應緊張，價格續揚機率高。SanDisk NAND產品提價，但受終端需求疲軟影響，對合約...
4Q25合約市場Server及Smartphone DRAM價格皆看漲。TrendForce將因AI應用與主權AI擴展，上修2026年伺服器與DRAM需求預測，預期位元成長率提升並收斂上半年價格跌幅，HBM3e產品仍有價格壓力。
HDD供應短缺引發QLC SSD替代需求，供應商對明年市場樂觀但增產有限，預期供不應求，NAND Flash合約價將續漲。現貨漲價阻力大。AI浪潮下，QLC SSD將成為儲存關鍵。
2Q25全球smartphone生產量微增，主要受季節性需求回升及庫存調節影響。預估2025年和2026年生產量將持續平穩增長。mobile DRAM營收受低基期、出貨增加及價格上揚驅動。LPDDR4X供應減少引發恐慌性搶購，價格大幅上升。
第二季DRAM營收因價格與出貨量顯著增長，第三季動能預計持續，價格漲幅加速。US CSPs需求穩健但庫存略高，智慧手機需求疲軟，採購保守，LPDDR4x供貨緊俏。
DRAM合約價預計年底前達高峰，新產能開出後將下跌。DDR4恐面臨長期嚴重短缺。HBM3e價格趨軟，HBM4維持高溢價，三星技術領先。AI伺服器需求強勁，帶動提前下單與LPCAMM2等新記憶體方案。
4Q25企業SSD合約價因需求強勁上漲。然2026上半年NAND Flash市場面臨伺服器平台轉換、智慧手機疲軟及供應擴張挑戰，前景現隱憂。
AI運算面臨記憶體瓶頸，HBM受限於容量與成本。NAND Flash憑藉HBF與AI SSD，提供高頻寬近端記憶體與智慧數據處理，有效補足HBM容量，並分擔運算負載，使其成為AI基礎架構核心，重塑其產業價值。
2Q25 NAND Flash因美國關稅促PC備貨，client SSD價揚，ASP溫和。3Q25市場重心轉向AI伺服器驅動enterprise SSD需求，引發主控晶片短缺，預計enterprise SSD價格續漲，引領整體市場。供應端製程升級，然整體需求動能趨...
這份全面的季度報告詳細介紹了市場趨勢、供應商比較和預測數據。它提供了關於HBM生產概覽、規格展望以及出貨量預測等分析。
iPhone 17系列正式迎來輕薄旗艦新成員。除基本款外，其餘在外觀辨識度與硬體規格上均有感升級。儘管整體smartphone市況與價格面臨挑戰增多，但預估出貨仍將較去年微增；其中Pro系列仍為主力，而Air款的市場接受度與...
