四月上旬DDR3 4GB合約價漲幅逾6%，2Gb顆粒單價重回2美元價位

四月上旬DDR3 4GB合約價漲幅逾6%，2Gb顆粒單價重回2美元價位

      根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，四月上旬合約價再度呈現價格上揚的趨勢，DDR3 2GB均價自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場面來觀察，由於日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起矽晶圓搶料作戰，矽晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產業需求，加上DRAM廠普遍都有一個月以上的庫存量來看，目前維持正常投片的能見度可至第二季末，但長期來看，如果矽晶圓大廠如信越化學及SUMCO不能在近期恢復正常運作，DRAM供應鍊受到衝擊勢必在未來將陸續浮現，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm製程良率出現問題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對於DRAM廠未來是否能供貨穩定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫存水位，需求轉趨積極下，跟DRAM廠議定合約價時亦接受較高的價格，也是讓四月上旬合約價攀升的主要原因。

原物料預期短缺下，震災後DRAM產業將加速轉往高附加價值產品因應

      日本東北大地震過後近一個月，原物料短缺問題陸續浮出檯面，半導體產業尤其以信越化學及SUMCO的東北工廠遲未復工影響最大，全球矽晶圓產能頓失20-25%，面對原物料可能短缺，DRAM廠勢必暫緩低毛利及低製程產品生產，轉向高附加價格產品及加速製程轉進速度來降低未來原物料可能短缺的衝擊。

      根據集邦科技的調查，韓系廠商如三星及海力士由於同時有DRAM及FLASH兩大產品生產，如三星計畫將部份DRAM產能轉向NAND Flash產品，顯見NAND Flash產品後市比DRAM產品更為看好，如果面對矽晶圓短缺，將滿足Flash產品為優先，而日系廠爾必達也已暫緩廣島廠中標準型DRAM生產，廠內僅保留附加價值高的行動式記憶體生產及部份代工業務，並將標準型DRAM生產全數轉交子公司瑞晶及代工廠力晶，瑞晶方面也將加速38nm及下半年32nm製程轉進，即使面對投片的不確定性，亦能保持產出量不變，力晶方面也將拉高45nm製程投片與毛利較高的代工業務比例，確保獲利能力不受地震影響，而南科與華亞科，算是震災中上下游供應鍊較為無虞的廠商，但產品結構的改變上仍按照原訂計畫進行，南科在下半年將有行動式記憶體正式量產，華亞科亦希望可以在下半年加重行動式記憶體及伺服器用記憶體的比例，而茂德方面已經在評估DDR3 2Gb生產的可能性，也希望讓震災後的衝擊減至最小，華邦自去年已將產品重整並轉向生產毛利較高的產品，只要矽晶圓供應無虞下，今年應可維持不錯的表現。