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第三季記憶體合約價因伺服器與AI強勁需求而底定，消費端則呈價格折衝；現貨市場則受終端需求疲軟影響維持橫盤。新技術HBF有望填補高頻寬記憶體與固態硬碟間的缺口，惟受限成本與技術門檻，智慧型手機將侷限於高階機...
AI需求推升HBM出貨動能延續至未來訂單，技術世代加速演進，需求版圖自輝達獨大轉向雲端業者自研晶片，供給吃緊帶動訂價權轉向供應商，惟傳統記憶體報價走揚稀釋HBM營收占比。
AI Agent推升KV Cache與Token儲存需求，使記憶體架構重組。成本考量驅使Token自高價HBM與DRAM下放至SSD。原廠積極推動HBF、SCM及SLC等新世代NAND應對壽命與延遲挑戰，同時加劇晶圓消耗，佈局先進產能成競爭關鍵。
伺服器DRAM需求強勁且受HBM排擠，推升合約價。買方為優化成本轉向中低容量模組，高容量貨源轉向OEM，使原廠維持低庫存與議價優勢。高容量溢價逐步收斂，原廠則調漲短缺模組價格。業者下修HBM堆疊規格以擴大晶片出貨...
提供每季度伺服器DRAM最新市場營收/產能更新
消費性記憶體供需缺口持續，價格微幅上揚。受限於買方成本承擔能力，合約價漲幅收斂。供應商透過長約鎖定多數產能，加上企業級硬碟需求爆發排擠一般消費型應用，市場結構性緊縮態勢預計將延續至明後年。
受原廠產能傾斜影響，利基型NAND Flash供需失衡延續。SLC受剛性需求支撐維持溫和上漲，惟漲幅較前月收斂；MLC則因買方成本壓力達極限，漲勢近乎持平，進入高檔盤整期。展望後市，SLC續漲但增速放緩，MLC則趨向價格穩...
高昂正品晶圓價格擠壓模組廠利潤，加上終端需求疲弱，業者轉向採購降級物料供應次級市場以降低成本，原廠亦樂見消化庫存。市場整體高檔震盪，除特定規格因供給受限或高容量補漲呈微幅上升外，多數產品維持平穩，買賣...
記憶體成本攀升引發消費者提前購機，推動智慧型手機短期生產表現回溫，TrendForce因而調升全年產量預測。然而，此現象僅屬需求提前釋放而非實質復甦。隨著成本壓力持續傳導，終端售價上揚將使低價機種消失，未來市場...
原廠拉升報價與終端出貨微幅回溫，帶動PC DRAM合約價持續走揚。考量未來產能排擠導致供給緊縮，系統廠積極提前備貨拉高庫存，並透過降規策略因應成本壓力。同時，供需失衡促使現貨行情居高不下，供應商亦啟動長期供...
Smartphone用Mobile DRAM受合約價大幅上揚帶動，供應持續緊缺，整體市場營收顯著躍升，四大供應商主導格局穩固。展望3Q26，供緊格局延續但價格漲幅收斂，產值增速將同步放緩。
因NAND供應商產能轉向，消費性市場壓縮，業者全力擴大高毛利企業級SSD。在生成式AI與雲端業者擴建推動下，出貨量與價格齊揚，營收創歷史新高。五大巨頭積極布局下一代傳輸介面、高層數堆疊與SLC/HBF技術，以奠定長期...
為您提供Mobile DRAM 及 Mobile NAND Flash最新的市場供應和需求資訊。
NAND產業資本支出成長加速，但擴產態度克制。供給增量主因既有廠區無塵室填充與製程轉進，新增產能有限。整體建廠規模遠小於記憶體，實際大規模產能釋放需待後期，產業供給彈性高度依賴技術提升而非實體擴廠。
SSD產業數據提供您最新SSD在PC、伺服器、磁片密度和裝運模組和MID市場的預測。
