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Smartphone市場大者恆大趨勢短期內不變，但品牌市占可能有所調整。市占排名前五的品牌來看，Apple新機優於預期的銷售可望帶動市占往上；Xiaomi自研晶片的持續迭代也將更加鞏固市場定位；Vivo則因Transsion市占下跌而...
DRAM市場供應吃緊，合約與現貨價格持續上漲。供應商庫存偏低，美系CSPs需求強勁。客戶端庫存水位分歧，但整體預期價格仍將維持上漲趨勢。
AI需求推升儲存，HDD供應不足促使訂單轉向企業級SSD，帶動NAND Flash市場情緒轉強。原廠庫存近健康水位，預期4Q25合約與現貨價格將全面上漲。
AI伺服器需求強勁，NVIDIA、AMD及CSP自研ASIC驅動市場成長。DDR5已為主流，但DDR4因儲存應用延續生命週期，價格反彈。CPU市場AMD與ARM挑戰Intel。2Q25伺服器DRAM營收季增，高容量模組推升平均價格，展望後市AI伺服器...
Samsung已完成與NVIDIA的HBM3e產品認證並啟動小量出貨，HBM3e將成為未來需求主流；廠商間市占與價格競爭加劇，HBM4技術升級預期推高成本並帶來溢價，供應與認證時程將決定價格走向。
隨著AI技術爆發，數據中心存儲架構正經歷關鍵轉變。HDD因新技術門檻面臨高成本與長交期，形成巨大供應缺口，為QLC Nearline SSD創造了市場機會。NAND Flash供應商正加速轉進更高製程，積極搶佔AI驅動的高容量存儲市...
4Q25記憶體漲價動能延續，主因AI需求強勁、供應商重利潤限產。伺服器DRAM及企業級NAND Flash受美系CSPs提前採購、HDD短缺影響，漲幅顯著，舊製程產品供給尤為緊俏。
TrendForce指出，AI推論服務激增帶動大容量儲存需求，傳統HDD供應不足，促使CSP業者轉向Nearline SSD。NAND Flash供應商加速QLC驗證與擴產，以填補HDD缺口。未來，更大容量、低成本SSD將更廣泛應用於AI儲存，帶動ent...
美系雲端大廠擴大採購，DRAM合約市場供貨吃緊，價格預期上漲。現貨市場雖平淡，但受需求牽引，價格易漲難跌。總體而言，市場略有供需缺口，價格受支撐，但下半年展望保守。
因地緣政治影響，RTX PRO特規版在中國前景有待觀察尚在等待放量中；CPX將採用GDDR7記憶體並提升容量，與以HBM為主的 Rubin GPU互補，惟短期仍以現有方案為主。
NAND Flash市場受HDD缺貨及資料中心對企業級QLC SSD強勁需求驅動，合約與現貨價格全面反轉上揚。供應商聚焦QLC產出與製程升級，預期供不應求格局將推動價格自4Q25持續走高至3Q26。
NVIDIA Rubin平台預計於2026年中至下半年完成封裝與伺服器裝配，HBM4送樣、認證及量產需提前完成。為因應AMD競爭，NVIDIA推升HBM4規格。
TrendForce指出，AI驅動數據爆炸，資料中心儲存面臨結構性變革。HDD供應短缺加速QLC SSD需求，尤其高容量產品。儘管成本是考量，HDD缺口擴大促使北美CSP評估QLC SSD作為冷資料儲存替代方案。供應商產能限制與CSP價格...
2Q25 server DRAM營收季增11%，DDR5出貨增長及DDR4價格回升是主因。CSP去庫存後轉為補庫存，DDR4因storage server應用需求強勁，成亮點並轉為長尾產品。Samsung市佔領先，SK hynix營收增幅最大，Micron受益於高容量...
Samsung智慧型手機市佔領先，但受經濟與競爭影響，中低階機種出貨比重下滑。2026年部分旗艦機將採用Exynos 2600，區隔市場。LPDDR4X供應緊張，價格續揚機率高。SanDisk NAND產品提價，但受終端需求疲軟影響，對合約...
