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Micron 因產能策略調整，優先高毛利產品，壓縮標準 DRAM 供應，導致其報價大漲，SK hynix 則較溫和。現貨市場 因需求強勁、庫存惜售而價格上揚，供需持續緊張。
此報告指出，Google、AWS等雲端巨頭對HBM的需求顯著增長，HBM容量與部署在各代晶片上持續提升；META與Huawei逐步成為新興買方，HBM需求預期穩步走高，推動產業景氣改善。
2025年全球第6-10名手機品牌為Transsion、Honor、Lenovo、Huawei與Google。其中Transsion因銷售市場競爭加劇及記憶體供應短缺而略有下修；Honor亦受記憶體供應短缺干擾，導致海外銷售略有下滑。記憶體方面，Samsung...
AI發展引導儲存從HDD轉向SSD，推升NAND Flash合約與現貨價格。QLC與TLC需求強勁，預計AI相關SSD將帶動市場結構性成長，NAND Flash將成為AI伺服器與雲端架構的核心。
合約市場DRAM價格預期大幅上漲，美光漲幅領先。現貨市場因看漲惜售，DDR4稀缺，DDR5同步走高。AI發展將從訓練階段的HBM需求，轉向代理人時代對CPU與傳統伺服器DRAM的爆發性需求，全面推升記憶體市場。
2026年NAND Flash產業，AI驅動企業級SSD需求爆發，抵銷消費端疲軟。HDD供應瓶頸迫使市場轉向高容量QLC SSD。供給面雖有位元增長，但高容量SSD仍結構性緊缺，預期產業將供不應求，價格持續上揚，迎來關鍵轉折。
集邦科技預測，2026年記憶體市場將因AI伺服器需求強勁與供應商利潤導向，而迎來結構性漲價。原廠產能向高毛利應用傾斜，排擠其他應用供給，導致DRAM及NAND Flash價格全面上揚，儘管消費端需求疲弱。
AI伺服器與晶片需求續強，GPU與自研ASIC並進；中國自主化加速。本土與美系雲端擴產推動供應版圖變化。高階液冷滲透顯著提升，低階仍以氣冷為主。推論帶動企業級SSD朝高容量發展，整體市場維持成長動能。
NAND Flash市場受惠企業級SSD與AI需求，合約及現貨價齊揚，轉為賣方市場。美光憑藉QLC技術與資料中心SSD策略，成功轉型並預期營收與毛利將持續成長，鞏固其市場競爭力。
DRAM市場強勁，合約與現貨價格大幅上揚，賣方主導態勢確立。美光受惠於AI與伺服器需求，季度營收及毛利率創高，展望優於預期。其HBM業務進展迅速，技術與市占領先，鞏固市場地位。預期DRAM供給持續緊縮，價格將持續...
9月消費性DRAM合約價漲勢趨緩。展望後市，因CSP伺服器需求強勁排擠產能，原廠上調4Q25合約價目標。消費性DRAM預計上修至雙位數漲幅，漲勢延續至1H26。
2025年DRAM合約價持續走高，原廠因伺服器需求強勁，將產能優先轉至先進製程，使PC DRAM供給轉趨吃緊。PC OEMs為因應未來漲勢，可能調整採購策略。
2025年9月伺服器DRAM合約價因CSPs追加需求持續上漲，DDR5/DDR4價格續揚，8000MT/s模組將加速普及。2026年需求強勁且供應緊張，預計漲勢將延續。
受企業SSD強勁需求與供應緊俏影響，9月NAND Flash wafer價格普遍上漲，模組廠轉為積極備貨。原廠優先供應高利潤產品並受製程轉換影響，使供應更顯吃緊。預期未來數月市場將持續結構性走揚，而非單純季節性需求。
九月SLC/MLC NAND Flash合約價加速上揚，主因利基需求穩健、原廠策略性收縮供給，以及產能轉向高毛利產品。預期十月價格續漲，供應緊繃。
