全球 DRAM 廠商加速新廠建置與資本支出，新產能將於後年起分階段釋放。隨著各大原廠無塵室與裝機推進，大規模產能預計於後續數年間陸續開出，推動產業結構性供給擴張，實際位元產出仍受建廠變數與產品驗證時程影響。
中國在政策與資金扶持下加速曝光機自主研發，雖受限於良率與生態系尚不成熟，短期難撼動ASML壟斷地位；但其餘成熟製程領域的整合與市占提升，已對歐美日設備廠構成實質壓力，長期營收版圖預期持續遭侵蝕。
Intel 18A製程良率提前達標，14A獲特斯拉訂單，成熟製程外部客戶回流。宜聚焦利基小尺寸邏輯晶片與EMIB、Foveros先進封裝，搭配PowerVia技術，望重塑晶圓代工競爭版圖。
晶圓代工市況分歧，三星加速美國擴產惟先進製程良率遇瓶頸；陸系業者受記憶體漲價壓抑消費電子需求，成長普遍放緩，僅華虹受惠 AI 電源管理晶片動能較佳。格羅方德則因應地緣政治與新技術需求，大幅增加資本支出推動...
AI與資料中心帶動先進記憶體需求高漲，產能瓶頸推升以晶圓為定價錨；HBM仍緊俏但議價分化，原廠在DDR5與HBM間動態調配，追加需求不排除轉向漲價。
報告指出三大廠積極擴充HBM產能，2025年出貨持續上修，SK hynix領先擴產至150K，Micron台灣廠區同步增能，2026年將全面啟動HBM4量產，Samsung重返供應、出貨增幅居首。
本期Foundry快訊聚焦全球晶圓代工市場動態與供需，評估跨廠良率挑戰、供應鏈變化，指出未來景氣仍具不確定性。
這份全面的季度報告詳細介紹了市場趨勢、供應商比較和預測數據。它提供了關於HBM生產概覽、規格展望以及出貨量預測等分析。
三大HBM供應商積極推進產品技術與產線，客製化HBM發展受到重視。AI運算需求推動HBM架構演進，客製化帶來彈性與效能優化，預期未來產能與合作將持續擴大。
2025年，HBM3e供需展望的能見度已高，市場關注重點轉向2026年即將量產的HBM4。HBM4價格較HBM3e有明顯溢價，原因包括晶粒尺寸擴大、I/O數倍增導致前後段製程成本上升，且製程節點提升與產品認證複雜度也增加供應風險...
根據TrendForce的觀察指出，繼Samsung於今年上半年遞交出首批HBM3e 12hi驗證樣品後，當前處於持續驗證的階段...
