研究報告

2026年AI記憶體展望:HBM3e價格上修與DDR5缺貨潮

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發佈日期

2026-01-15

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更新頻率

不定期

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報告格式

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受惠於伺服器與AI強勁需求,DDR5產能排擠效應擴大導致價格飆漲;HBM3e因訂單增加與規格升級,原廠議價能力提升使價格轉為看漲。儘管SRAM具低延遲優勢,但受限於成本與容量,短期難以撼動HBM的主流地位,兩者將呈現互補關係。

重點摘要

  • 需求驅動價格強彈:伺服器相關需求熱度不減,導致DDR5嚴重缺貨,合約價與獲利能力均顯著攀升。
  • HBM3e行情上修:隨著AI訂單追加及部分產品轉向採用HBM3e,供需吃緊使成交價回升,甚至可能消弭原先預期的跌幅。
  • 技術定位難以取代:SRAM雖在低延遲推論場景具優勢,但受制於單位面積成本與可擴充容量,短期內無法取代HBM作為AI平台主記憶體的地位。

目錄

  1. 前言
  2. SRAM低延遲特性受關注,然短期難以撼動HBM主記憶體地位
  3. 原廠議價能力提升,HBM3e實際成交價仍存上修空間

<報告頁數:4>





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