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2026年2月，受原廠轉向先進製程影響，成熟製程供給吃緊，推升SLC與MLC NAND Flash合約價全面走揚。其中MLC因缺貨嚴重漲勢最猛，SLC則穩健上行。在工控與車用強勁需求支撐下，預期供需失衡將延續，上半年價格漲勢依然...
2026年2月NAND Flash Wafer因原廠控產維持高價，惟下游抵觸使漲幅收斂。AI與企業級需求支撐主流規格，MLC則受停產效應影響，供貨稀缺而領漲。市場轉入高檔震盪，後市關注AI動能能否抵銷消費端疲軟，延續漲勢面臨挑戰...
本季PC DRAM合約價飆升，漲幅較前期顯著擴大。雖筆電全年出貨預估遭下修，但整機漲價預期推升短期通路需求，導致品牌廠庫存下滑並轉向模組廠搶貨。原廠報價一致走高，且優先供貨給品牌廠，導致對模組廠供給受限，推...
受惠於推論應用普及與通用伺服器需求回溫，市場正經歷結構性轉型。高容量儲存解決方案需求呈現直線成長，帶動產業擺脫週期底部並進入擴張期。隨技術標準演進，位元出貨量將持續向上攀升，引領整體營收規模邁向歷史新...
受惠於人工智慧基礎設施建設需求爆發，企業級存儲產品供不應求。由於原廠優先配置產能於記憶體與高頻寬記憶體，導致供應持續緊縮。整體產業正由消費端轉向由人工智慧驅動的高利潤週期，價格漲勢將維持高點。
受庫存見底與AI需求外溢至通用伺服器影響，4Q25 DRAM營收成長主要由合約價飆升驅動，三星重返市占龍頭。因供需失衡持續，台廠亦受惠於成熟製程轉單。展望1Q26，淡季供給更緊俏，預期合約價漲勢將進一步加速，成為漲...
Samsung因製程優化解決過熱問題，在HBM4驗證進度上領先；SK hynix雖經改版重送，但憑藉既有合作基礎預計仍將佔據供應大宗；Micron進度相對稍緩。考量AI強勁需求與產能吃緊，預期NVIDIA將採納三家供應商以確保Rubin平...
北美AI應用普及與Nvidia新架構推出，驅動企業級SSD需求爆發。因供應商產能轉向DRAM致NAND Flash供給受限，缺口擴大推升合約價創歷史新高。買方為確保料源接受高價與長約，預期供應吃緊將延續，大容量SSD躍升為算力關...
DRAM市場呈現供不應求，原廠庫存低且議價權強勢，帶動合約價上揚，尤以PC與伺服器端顯著。現貨漲勢因與合約價差大而趨緩。買方為保貨源多願接受漲價，惟模組廠獲利恐遭壓縮；僅手機端庫存相對穩健，整體市場為賣方主...
受AI及企業級需求驅動，NAND Flash確立賣方市場。原廠優先配置高毛利產能，致使各端庫存水位普遍下滑。合約價預期上調，買方議價困難；現貨市場雖因節前交易轉淡，但惜售心態濃厚。整體供應鏈面臨緊縮，轉向保守配貨...
2026年第一季，受惠於伺服器與AI強勁需求，原廠產能優先配置企業級產品，導致消費型eMMC與UFS供給嚴重受限。儘管處於消費淡季，買方因庫存低且擔憂斷鏈而積極備貨，推升合約價格全面大幅上漲。短期內若AI需求不減，...
2026年第一季受伺服器與AI強勁需求排擠，原廠優先配置高毛利企業級產能，導致Client SSD供應緊縮。疊加OEM庫存低水位及換機備貨需求，合約價全面大幅飆漲。預期供不應求將延續至第二季，惟高成本恐抑制買氣，導致PC...
AI需求由訓練轉向推論，帶動企業級SSD需求激增。受限於新廠無塵室建置時程，產能放量延遲，導致未來兩年供給持續吃緊。主要原廠透過技術升級與策略結盟鞏固產能，NAND市場將迎來結構性成長，定價權向供應端傾斜。
AI帶動HBM與存儲單價回升，使記憶體產值超越並領先晶圓代工。反觀晶圓代工受成熟製程疲軟與擴產受阻影響，增長放緩。在空間受限下，記憶體憑藉高效產出與價格彈性，成為產業增長主軸。
記憶體產業於2026年受惠AI應用普及，由DRAM與enterprise SSD雙引擎帶動進入供需緊俏的「超級週期」。在原廠庫存見底且產能擴張受限下，合約價預計維持雙位數成長。即便消費性電子需求放緩，AI應用仍支撐強大動能。未...
