美國白宮5月14日宣佈對中國進口產品加徵關稅，其中決議在2025年前對中國製造半導體產品課徵高達50%關稅。據TrendForce觀察，此舉加速供應鏈出現轉單潮，台系晶圓代工廠陸續接獲加單需求，產能利用率上升幅度優於預期。以今年下半年來看， Vanguard（世界先進）產能利用率預計將提升至75%以上； PSMC（力積電）十二吋產能利用率將達85~90%；UMC（聯電）整體產能利用率將落在70~75%。
HBM由於獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產順序最優先。但受限於良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產能來看，至年底HBM將占先進製程比重35%，其餘則用以生產LPDDR5(X)與DDR5產品。
據TrendForce研究顯示，2023年全球前十大IC設計業者營收合計約1,676億美元，年增12%，關鍵在於NVIDIA（輝達）帶動整體產業向上，其營收年成長幅度高達105%。而Broadcom（博通）、Will Semiconductor（上海韋爾半導體）及MPS（芯源系統）年營收僅微幅成長，其餘業者則受景氣下行衝擊、庫存去化影響，導致年營收衰退。
據TrendForce最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。
根據TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，受惠於HBM銷售單價較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI晶片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，促使2023~2025年間HBM之於DRAM產能及產值占比均大幅向上。產能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之於DRAM總產值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。
