英特爾與美光於2018年1月8日共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研發後，雙方將開啟各自的研發之路，雙方目前共同研發的第二代產品為64層3D NAND Flash，預計第三代將可堆疊96層，也意味著96層以後3D NAND Flash的產品研發，Intel將正式與美光分道揚鑣。儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響，但在確定分家之後，雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據TrendForce記憶體存儲研究(DRAMeXchange)調查，英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫，雙方可望建立正式銷售合作關係。
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，2017年第四季各供應商持續進行3D-NAND的擴產及良率提升，然需求面僅靠智慧型手機旺季需求動能延續，因此，2017年第四季合約價僅eMMC/UFS上漲0-5%，其他部分如伺服器/資料中心、PC及平板等需求力道減緩，合約價呈現持平，甚至出現小跌走勢，整體NAND Flash市場趨於供需平衡。
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第四季為傳統旺季，在智慧型手機市場需求轉強的預期效應，以及北美資料中心需求強勁的帶動下，主要供應商紛紛提高去年第四季行動式記憶體價格。整體而言，2017年第四季行動式記憶體漲幅平均落在10%~15%，產值達80億美元，較前一季成長23.6%，產值再攀新高。
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，回顧2017年第四季，其中北美資料中心的需求持續強勁，即使原廠透過產品線調整，但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(Average Selling Price)的上揚，三大DRAM原廠Server DRAM營收季成長約13.9%。
全球市場研究機構TrendForce指出，展望2018年智慧型手機市場表現，由於缺乏喚起民眾換機意願的創新議題，預估全年智慧型手機市場需求動能續弱；在成本方面，受到上游零組件價格持續攀升的影響，下游手機品牌商不得不重新檢視終端定價或調整規格配備以因應成本壓力。今年品牌市占表現將呈現大者恆大、贏者通吃的格局。TrendForce將今年全球智慧型手機生產總量成長率從原先預估的5%再下調至2.8%，生產總量約為15億支。
